QMB800是一款高集成、高精度锂电池监控及安全保护的模拟前端（AFE）芯片，集成双放电管和充电管的控制及驱动，可实现高精度数据采集、过充和过放以及过流和短路的硬件侦测保护等功能，适用于3~8串三元锂或磷酸铁锂等多种电池包应用。

在电池管理系统应用中，该芯片须与外部单片机MCU配合使用，负责完成周期性地自动扫描测量每节电芯电压，外部温度，充放电流以及电池包的总电压，根据配置参数，完成相应的保护，而保护事件的释放由MCU完全负责，同时MCU还可以通过配置寄存器获得PWM放电控制保护功能，高低温保护功能以及额外的系统定义保护功能，完全由MCU自主完成，具有灵活的系统应用。

 SSOP24L封装

n 最高支持8串电芯

n 高精度测量

l 高精度电芯电压ADC测量：常温误差，±6mV @2V~4.25V；

l 高精度电流ADC测量：常温误差，±50µV@±5mV；±0.4%@±200mV； 

l 电芯温度ADC测量：误差，±1℃@-40℃~85℃；

n 集成硬件功能

l 过充(OV)硬件侦测及保护；

l 过放(UV)硬件侦测及保护；

l 主回路放电过流2(OCD2M)和短路(SCDM)硬件侦测及保护；

l 次回路放电过流2(OCD2S)和短路(SCDS)硬件侦测及保护；

l 芯片内部过热保护(OHT);

l 内置均衡驱动，支持软件均衡；

l 内置电池采集断线侦测功能；

l 内置3.3V/5V可带载30mA LDO电源；

l ECTRL管脚支持PWM控制放电管；

l 400kHz I2C通信接口，CRC-8校验；

l WKUP管脚一键唤醒；

l 内部事件中断输出；

l 内置低边NMOS充电管电流源驱动；

l 内置双通道低边NMOS放电管电压源驱动；

n 高可靠性设计

l 内置LDO短路限流，过流保护和过温保护；

l 内置LDO输出电压测量和芯片工作电压测量提供系统自检；

l 电芯采集管脚差分耐压±60V，支持100~10k限流电阻；

n 功耗模式

l Full Power模式：70µA@25℃；

l Normal Sleep模式：50µA@25℃；

l Deep Sleep模式：4µA@25℃；

l Shutdown模式：0.2µA@25℃；